存储芯片:TWS等用NOR FLASH国产替代商兆易创新

发布日期:2021-03-15 17:25:07   来源 : unknown    作者 :unknown    浏览量 :119
unknown unknown 发布日期:2021-03-15 17:25:07  
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芯片作为和火、电、石油等一样推动人类社会进步做出巨大贡献的发明,现代社会已经必不可少。前面还仅探讨了图像传感器芯片和射频芯片,今天写一写芯片中占据很大份额的存储芯片。

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  存储器(Memory)是用来存放程序和数据的记忆设备,计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序以及运行结果都保存在存储器中。

  一、分类:

  根据断电 后信息能否继续保存在器件内,存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器,其中, 易失性存储器在断电后器件内部的信息即消失,典型器件包括 DRAM,而非易失性存储 器在断电后器件内部的信息仍能继续保存,典型器件包括 NAND  NOR Flash

  通俗来说DRAM就是我们手机里面的2G4G…内存,主要为动态存储,短时间内加载的数据;NAND Flash就是我们手机里面的32G64G128G,主要为大容量存储,长时间内保存数据。

   

  

  DRAM

  动态随机存取存储器,DRAM数据保持时间短,需定时刷新。

  在 PC、手机、服务器等领域广泛应用。

  NAND Flash

  :数据型闪存芯片。大容量 NAND Flash 主要为 MLCTLC 2D NAND 或最新的 3D NAND,擦写次数几百次至数千次,多应用于大容量数据存储。小容量 NAND Flash 主要是 SLC 2D NAND,擦写数万次以上。

  在 U 盘、闪存卡和 SSD(固态硬盘)等产品中应用十分广泛。

  NOR Flash

  代码型闪存芯片,主要用来存储代码及部分数据。

  主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、 IOT、汽车电子、穿戴式设备、安防监控、 人工智能

  市场结构及前景:

  

  

  存储器是半导体产业最大的细分市场,根据 WSTS 的数据,2021 年全球存储器市 场规模有望达 1353.11 亿美元,同比增长 13.3%,占全球半导体市场 28.83%的份额,是 场空间十分广阔。其中,DRAM  NAND 两种产品占据了主要的存储器市场,2019  二者合计占比达 98%

  

  

  作为计 算机系统的核心组成部分存储器在服务器、智能手机、PC、物联网等领域广泛应用。根据 IDC 的数据,2020 年全球服务 其出货量 1220 万台,同比增长 3.92%。根据 IDC 的数据,2020 年全球 PC 出货量 3.03 亿台,同比增长 13.47%

  

  

  市场份额

  全球 DRAM 存储器市场的集中度较高,根据中国闪存市场的数据,2019 年,三星 46%)、海力士(29%)和美光(21%)等海外厂商合计占据 96%的市场份额。

  

  

  全球 NAND 存储器市场的集中度较高,根据中国闪存市场的数据,2019 年,全球 NAND 存储器市场的主要份额由三星(35%)、东芝(18.2%)和西部数据(13.8%)等 海外厂商占据,前六大厂商合计市占率达 99.5%

  

  

  

  

  两家我国台湾企业和兆易创新是Nor Flash三巨头。

  技术发展:

  1. DRAM:DRAM 由于对读写速度、容量、功耗等方面的要求提高,目前先进工艺制程已 突破 20nm,并逐渐向 10nm过渡。10nm DRAM 制程主要包括 1x1y1z 等,其中 1x 相当于 16~19nm 制程、1y 相当于 14~16nm 制程,1z-nm 则相当于 12~14nm 制程。以 1x1y1z 为代表的的先进制程可以大幅缩小 DRAM 的存储单元间距,从而 实现更高的存储密度、更低的能耗以及更大的产能。2019  3 月,三星宣布研发出第三代 1z 制程的 8GB DDR4 产品;美光于 2019  8 月大规模量产 1z 制程的 16GB DDR4 产品;2020  8 月,三星宣布其韩国平泽生产线已开始量产业界首款采用极紫外光 EUV)技术的 16GB LPDDR5 DRAM,新的 16GB LPDDR5 基于三星第三代 10nm  1z)工艺打造,拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量,LPDDR5 封装 也比上一代产品薄 30%

  

  

  目前,1x 制程已成为 DRAM 的主流制造工艺,1y 制程占比提升显著。随着三星、海力士和美光等厂商持续推进 1z 和更先进制程的量产, DRAM 的先进制程占比持续提升,有望推动 DRAM 市场的进一步发展。

  2. NAND Flash:根据电子单元密度的不同,NAND 存储器可分为 SLC(单层存储单元)MLC(双层 存储单元)TLC(三层存储单元) QLC(四层存储单元)四类。

  

  

  SLCMLC TLC 以及 QLC NAND 均为 2D 存储器,2D NAND 制程微缩面临极限,3D NAND 成为下一代存储解决方案。为了进一步提高存储密度,将存储单元在原有的X-Y平面上向 Z 平面拓展的 3D NAND 技术成为了主流技术方向。第一代 3D NAND 产品有 24 层,随着 3D NAND 技术的发展,目前业界已制造出 32486496  128 层的 3D NAND 存储器产品,且单个晶圆上的存储容量不断提升,推动了存储器市场的持续发展。

  

  

  兆易创新:

  公司的现有业务布局分为存储、MCU 和传感器三大方向。 公司存储芯片、微控制器、传感器各占比79.8%13.86%6.34%

  (1NOR Flash 产品,累计出货量已经超过100 亿颗;针对物联网、可穿戴市场,推出业界最小封装  低功耗 宽电压产品线;针对有高性能要求的应用,推出了国内首颗符合 JEDEC 规范的 8 通道 SPI  品;针对工控、汽车电子等高可靠性及高性能应用推出 256Mb512Mb 等规格产品;并依据 AEC-Q100 标准认证了 GD25 全系列产品,为汽车前装市场以及需要车规级产品的特定应用领域提供高性能和高 可靠性的闪存解决方案。2019 年,得益于公司 Flash 产品的创新,以及 TWS 耳机等驱动的 Nor Flash 产品需求增加。根据 CINNO Research 产业研究,公司 NOR Flash 全球市场份额在第二季度实现突破,上升至全球第四,并在第三季度跃居全球第三。

  (2NAND Flash 产品上,高可靠性的 38nm SLC Nand 制程产品已稳 定量产,具备业界领先的性能和可靠性,并持续推进 24nm 制程产品进程,完善中小容量 NAND Flash 产品系列。38nmSLCNand 产品性能和可靠 性领先业界,目前已稳定量产。

  (3)存储芯片领域中 DRAM 等通用型产品市场规模较大,具有举足轻重的地位。公司积极整合 产业资源,布局 DRAM 产品领域,进一步拓展并丰富公司产品线,提升公司的核心竞争力和影响力。

  2019  9 月,公司发布非公开发行股票预案,拟募集资金总额不超过人民币 43.24 亿元,用  DRAM 芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。项目开发目标为研发 1Xnm 级(19nm 17nm)工艺制程下的 DRAM 技术。此研发项目的成功实施,将实现国内存储芯片设计企业在 DRAM 领域的突破,也有助于 公司战略拓展业务领域。

  公司持续推进合肥 12 英寸晶圆存储器研发项目合作。2019  4  ,公司与合肥产投、 合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》,约定以可转股债权方式对项目投  3 亿元,继续研究商讨后续合作方案。在业务合作方面,公司将与合肥长鑫发挥优势互补,探讨在DRAM 产品销售、代工、以及工程端的多种合作模式。

  按地区:公司境外业务占比82.41%,境内占比17.59%

  

  

  财务:

  

  

  2018-2019年全球存储器市场价格下降导致存储器企业的营收增速放缓,甚至净利出现下降。2019年完成对上海思立微电子科技有限公司的收购,增加了公司商誉。

  股东: 国家大基金目前还在公司十大股东,投资大佬葛卫东也在股东中。

  问答:

  1. 问:目前中国企业中还有其他的公司布局存储芯片业务吗?

  答:国内厂商:

  

  

  2. 问:2018年净利润增速明显下降,负债率提高的原因是?

  答:中美贸易摩擦、宏观经济增速放缓、产品价格下跌等多重因素影响下,公司的净利润增速下降,负债率上升。

  3. 问:为什么2017年毛利率相比之前突然升高?

  答:公司从2017年开始,公司的折旧迅速降低,致使公司毛利率提升。

  4. 问:为什么存储芯片的市场规模变化这么大,周期性强于成长性?

  5. 问:苹果产业链中,兆易创新Nor Flash的竞争者还有哪些?

  6. 兆易创新的研发投入是多少?研发占比是多少?

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